Intel发明的EPROM存储单元


很多应用场合要求半导体存储器既能够像ROM那样是永久性的(非易失性的)存储部件，又能够重新编程以修改存储内容中的意外错误，或改变系统的基本程序。非易失性存储器即使在电源断电时也能保存所存储的数据。ROM就是非易失性的，一旦制造出来就不能改变。其它一些广泛应用的半导体存储器，诸如sRAM和nRAM具有读和写的能力，属易失性存储器，也就是说它们的内容在电源断电时就遗失掉。为解决这一矛盾，研制出了EPROM(可擦可编程ROM)，它具有密集的非易失性存储能力，同时在需要时又可以对它重新编程。

EPROM存储器使用了一个独特的存储单元，从而获取了许多有用的特性。这种存储单元由Intel公司发明，被称之为FAMOS(浮栅雪崩注入金属氧化物半导体)。如图所示，它由一个具有二个栅极的晶体管组成，其中一个栅极与电路绝缘。