39VF400A-70-4C-EKE SST代理价格绝对优势 - 电子测量

该sst39lf200a/400a/800a和sst39vf200a/400a /
800a装置128 K x16 / 256 K x16 / 512 K x16的CMOS
多用途闪存（强积金）制造与SST的propri -
etary ，高性能的CMOS超的技术。
分裂门细胞的设计和厚氧化物隧道喷油器
达到更好的可靠性和可制造性比较
候补办法。该sst39lf200a/400a/800a
写入（计划或擦除）与3.0 V到3.6 V的电力供应。
该sst39vf200a/400a/800a写入（计划或擦除）
与2.7 V到3.6 V的电力供应。这些设备符合
JEDEC标准pinouts为x16的回忆。
具有性能高字计划，
sst39lf200a/400a/800a和sst39vf200a/400a /
800a装置提供一个典型的字处理程序的时间14
μ秒。该设备使用触发位或数据＃投票站检测
在完成上述程序或擦除操作。亲
tect对无心之失写，他们对芯片的硬件
和软件的数据保护计划。设计，马努-
factured ，测试范围广泛的应用，
这些器件提供了一个典型的保证endur -
之十万周期。数据保存额定更大
超过100年。
该sst39lf200a/400a/800a和sst39vf200a/400a /
800a装置适合于应用程式需要协商
venient和经济的更新计划，配置-
要害或数据存储器。所有系统的应用，他们
显着提高性能和可靠性，而低
ering功率消耗。他们在本质上少用能源
在擦除和程序比其他闪存技术的-
gies 。当编程闪存装置，总能量
消费是一个功能的应用电压，电流，和
时间的应用。因为对于任何特定的电压范围，
超技术，使用较少的电流计划和
有一个较短的擦除时间，总能源消耗量dur -
荷兰的任何擦除或程序的运作是低于替代
Flash技术。这些装置也提高灵活性
同时也能降低成本计划，数据和配置-
tion存储应用。
该技术提供了超定额擦除和亲
克时代，独立的人数擦除/程序
周期已发生的。因此，系统软件
或硬件不须予以修改或撤销评为是
必要时与替代Flash技术，其
擦除并计划时代的增加与积累
擦除/计划周期。