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注册:2007年11月05日
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英特尔近日在美国檀香山开幕的半导体制造技术国际会议“2004 Symposium onVLSITechnology”上进行了技术发表，阐述了一种采用铜互连(CopperInterconnect)和CMOS的高速信号技术，这种技术有可能使半导体产业至少在15纳米以前，不需要光互连技术。 这种光互连技术采用130纳米、8Gbps源同步I/O连接。使用便宜的数字逻辑电路来克服信道/电路损害，该技术同时也使用了模拟讯号处理、数字自适应控制和内置测试技术。 英特尔公司位于Oregon的电路研究实验室主任，同时也是IntelFellow的ShekharBokar表示，公司的I/O讯号技术正处于研发阶段，但在可预见的未来铜仍然在chip-to-chip互连方面有着相当重要的应用。 “十年前，人们认为铜互连不太好，我们现在的工作就是改变大家对铜互连技术的看法。”Bokar说，“不过，我对光互连解决方案的前景看淡，成熟的铜互连技术将降低对光互连的需求。” Bokar日前表示，芯片制造商使用90纳米3GbpsI/O连接。发展到32纳米后，芯片制造商将使用连接速度6到8Gbps的速率。而在22到16纳米工艺方面，英特尔公司预测采用铜技术的I/O讯号连接可以执行在20Gbps速度，英特尔还暗示，到那时为止I/O讯号连接最高可能执行在25~30Gbps。 半导体业在15纳米前不需光互连技术-技术文章半导体业在15纳米前不需光互连技术
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