加入收藏 设为首页 帮助中心
 
论坛首页
用户登录 | 用户注册 | 最新悬赏 | 最新贴子 | 会员中心 | 贴子搜索 | 网站地图 | 帮助中心 | 联系我们
站内搜索:
现在位置 > 维库电子开发网论坛 > 电源技术 > Zetex高性能晶体管有效提升电源功率密...
帖子主题: Zetex高性能晶体管有效提升电源功率密度
你还没有登录,无法发表回复,请首先 登录.. [注 册]
积分:1434 爱你
发表于:2007-11-12 16:21:00 楼主
级别:二钻
积分:1434分
注册:2007年11月12日
Zetex Semiconductors公司,推出一系列微型NPN及PNP晶体管,以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件,占板面积为2.5 x 3mm,板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持,有助于改善电路效率和降低工作温度。   Zetex亚太区销售副总裁李锦华表示:“我们最新的双极晶体管能够支持20V至100V的工作电压,使MOSFET栅极能以更高速度、更具效率地运行,胜过同类CMOS集成电路。它们同时还具有抗锁定功能,从而提升整个系统的可靠性。另外,由于产品采用SOT23FF封装,因此可以安装在最靠近MOSFET的位置,有助于降低线路电感和振铃效应。”   20V的 ZXTN19020CFF和ZXTP19020CFF能保证在7A和5A电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接,它们更能提供极快速的切换,传播时间少于2ns,升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15A,是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。   在用于P OL DC-DC模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中,晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60V的 ZXTN19060CFF NPN产品为例,它在1A电流和10mA基极驱动下的饱和电压仅为150mV,在2A电流和40mA基极驱动下为 135mV。  
积分:1434 爱你
发表于:2007-11-12 16:23:00 1 楼
级别:二钻
积分:1434分
注册:2007年11月12日
嗯!踩一下.多发几遍.  
快速回复:
用户名: 密码:  验证码,看不清楚?请点击刷新验证码 注册新帐号?
上传图片格式(jpg/gif/png)和文件格式(rar/pdf)
 
 
网站简介s广告服务网站地图帮助信息联系方式问题报告
Copyright 2007 - 2008 bbs.weeqoo.com
Powered By weeqoo Version 8.0.0XML